November 2024

November 14, 2024 0

Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–12 [...]
1 2 3 4

Copyright © 2024 | Studio Magenta Co., Ltd.